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IXFC 80N10
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
ISOPLUS220 OUTLINE
g fs
C iss
C oss
C rss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Q g(on)
Q gs
Q gd
R thJC
R thCK
V DS = 10 V; I D = I T Notes 1, 2
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS ,
I D = 0.5 I D25 , R G = 2.5 ? (External)
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = I T
Notes 2
35
55
4800
1675
590
50
75
95
31
180
42
75
0.3
0.54
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K/W
K/W
Source-Drain Diode
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Note: All terminals are solder plated.
Symbol
Test Conditions
min.
typ.
max.
1 - Gate
2 - Drain
I S
I SM
V SD
V GS = 0 V
Repetitive; pulse width limited by T JM
I F = I S , V GS = 0 V,
80
320
1.5
A
A
V
3 - Source
Note 1
t rr
200
ns
Q RM
I RM
I F = 25A
-di/dt = 100 A/ μ s,
V R = 50 V
0.5
6
μ C
A
Note: 1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
2. I T = 40A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
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